矽池半导体技术（上海）有限公司

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按照工序的前后，可以分为前道、中道、和后道三段。

（1）前道工序  包括晶圆测试、晶圆减薄与切割等，这里既包括IC晶圆的CP测试、晶圆的全切、半切；也包括MEMS晶圆的CV测试、激光隐形切割。对于晶圆减薄，可以根据待加工晶圆的类型和厚度要求选择先磨后切或者先半切后磨工艺，详见解决方案部分

（2）中道工序  包括无源器件贴装、有源芯片的正装、引线键合、倒装、底填充等工序。具体涉及到高密度的SMT贴装、普通以及fine pitch倒装工艺、2.5D/3D芯片堆叠、CUF和MUF的选择等，详见解决方案部分。

（3）后道工序  包括塑封、激光打标、电磁屏蔽工艺、BGA植球、切单、AOI检测等工序。具体设计到全塑封和选择性塑封、分腔屏蔽和共形屏蔽、全自动和手动植球、规则与异形切割等，详见解决方案部分。